PECVD成膜装置 GENERIS PECVD

メーカーSingulus Technologies AG

多々ある導入実績の内、GENERIS PECVDシステムは、最先端の結晶シリコン太陽電池の量産における特別なニーズに対応するよう設計されたモジュール式水平インライン装置です。 例えば、パッシベーションエミッタおよび背面セル(PERC/PERT)やパッシベーションコンタクト付き セル(例:TopCon、POLO)など、最高効率の太陽電池の量産に対応します。

PERC太陽電池は両面に誘電体パッシベーション層がコーティングされています。裏面のパッシベーションは、水素リッチシリコンナイトライド(SiNx:H)で覆われた薄い酸化アルミニウム(AlOx)層の蒸着によって実現されます。前面では、SiNx:H層がパッシベーションと反射防止コーティング(ARC)の両方の役割を果たします。このシステムは、高いスループット、高い稼働率、短いクリーニング中断時間、および原材料の最大限の活用により、コスト効率の高い大量生産に最適です。 プロセス全体を通して基板温度は完全に制御され、PERCセルでは350℃前後の温度で最適な層性能を実現します。

熱特性は、他の層スタックや用途に合わせて幅広い範囲で適応させることができます。 SINGULUS TECHNOLOGIESのキャリアは、ラップアラウンドをほぼゼロに抑えた片面成膜が可能です。 GENERIS PECVDは、真空中断することなくウェハの両面に成膜することができます。AlOxとSiNxの両プロセスは、ガス分離チャンバーを使用することで、1つの共通システムで実現できます。

GENERIS PECVDの機能

  • 1時間あたり最大6,000枚の ウェーハのスループット
  • パッシベーション、反射防止、 保護層の堆積
  • 典型的なプロセス:SiNx、SiOx、AlOx、a-Si、poly-Si、 及びプラズマ酸化物
  • 高速リニアICPソース
  • 層の特性に応じて、最大100 nm * m / minの動的堆積速度
  • 堆積前および堆積中の完全な温度制御
  • PERC350°Cの場合、標準的な基板温度180〜550°C
  • キャリア リターン システム(CRS)が統合された信頼性の高い水平基板輸送システム
  • 真空状態による搬送システムによりパーティクルの発生無し
  • 様々な基板サイズ(M2〜M12)キャリアへの対応
    一般的なウェーハの厚さ120〜200 µm
  • キャリアあたり64枚のウェーハ対応
    (M2からM6)のキャリア、キャリア材料CFC
  • 自動ウェーハロードおよびアンロード
  • 全コーティング幅約 1.4メートル
  • 層の均一性‹基板上およびキャリア間で+/- 5%

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